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ALD原子层沉积设备
•等离子体辅助ALD技术可以应用于能源、催化、环境、生物、微电子、5G通讯 等多个领域。具有沉积温度低、单体种类多、薄膜致密均匀，高保形、薄膜 厚度可以在原子量级控制，薄膜成分可以单原子控制；可以进行薄膜表面改 性、等离子体辅助气相沉积；可制备多种金属、氧化物、硫化物、氮化物等超薄薄膜。
•可根据用户要求做不同规格配置，用于教学及科研。
设备型号: BC-ALD-230
技术参数（以下参数可根据用户需求定制）
真空室结构：后置真空抽气机组。
真空室内部尺寸：230mm×220mm
真空室材质：全部采用不锈钢材料焊接。
真空室加热：室内温度≤300℃
基片台：平板型直径 190㎜
控制方式: PLC全自动和半自动控制模式
占地面积： 长1200mm×宽1200mm×高13000
总功率KW： 380V 40KW
