高真空多靶（直流+射频+离子源）溅射设备

适用于开发纳米级单层、多层及复合膜层等； 

•可制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜等，例：金、银、铜、铝、镍、 铬、钛、锆、钛铝合金、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等；

 •适用于多靶单独溅射、依次溅射、共同溅射，

•可根据用户要求做不同规格配置，用于教学及科研。

1.    设备型号：BC-SPT 1-500A

技术参数（以下参数可根据用户需求定制）

真空室结构：立式圆柱形前开门，后置真空泵抽气系统。

真空室尺寸：内部尺寸500㎜×430㎜。

真空室材质：全部采用不锈钢材料焊接。

真空室加热：室内温度≤500℃

旋转基片台：平板型直径200㎜

       靶配置:      圆形磁控靶X2只

电源配置：  直流电源,偏压电源

控制方式:    PLC全自动和半自动控制模式

占地面积：  长2000㎜×宽1750㎜×高2050㎜

总功率KW： 380V   8KW

2.  设备型号：BC-SPT 2-500A

技术参数（以下参数可根据用户需求定制）

真空室结构：立式圆柱形前开门，后置真空泵抽气系统。

真空室尺寸：内部尺寸500㎜×430㎜。

真空室材质：全部采用不锈钢材料焊接。

真空室加热：室内温度≤500℃

旋转基片台：平板型直径200㎜

靶配置:      圆形磁控靶X4只

电源配置：  直流电源,射频电源，偏压电源

控制方式:    PLC全自动和半自动控制模式

占地面积：  长2000㎜×宽1750㎜×高2050㎜

总功率KW： 380V 8KW

 3. 设备型号：BC-SPT 3-500A

 技术参数（以下参数可根据用户需求定制）

真空室结构：立式圆柱形前开门，后置真空泵抽气系统。

真空室尺寸：内部尺寸500㎜×430㎜

真空室材质：全部采用不锈钢材料焊接。

真空室加热：室内温度≤500℃

旋转基片台：平板型直径200㎜

    靶配置:      圆形离子源X1只,圆形磁控靶X2只

电源配置：  直流电源,射频电源,离子源电源，偏压电源。

控制方式:    PLC全自动和半自动控制模式

占地面积：  长2000㎜×宽1750㎜×高2050㎜

总功率KW： 380V 10KW