等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备
该系列设备应用等离子体增强化学气相沉积技术,主要用来制作SiO2、Si3N4、
非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。
等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度,使CVD在热稳
定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制半
导体器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低,还可以降低热应力失配。
可根据用户要求做不同规格配置,既可做小批量量产设备使用,又可用于教 学及科研。
1:设备型号:BC-PECVD-350
技术参数(以下参数可根据用户需求定制)
设备名称:等离子体增强型化学沉积(PECVD)设备
真空室结构:立式圆柱形上开门,后置真空抽气机组。
真空室尺寸:内部尺寸350㎜×300㎜。
真空室加热:室内温度≤500℃
旋转基片台:平板式直径220 ㎜
控制电源:射频电源
控制方式: PLC全自动和半自动控制模式
占地面积: 长1600㎜×宽1000㎜×高1600㎜
总功率KW: 380V 10KW
