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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备
该系列设备应用等离子体增强化学气相沉积技术，主要用来制作SiO2、Si3N4、
非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。
等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度，使CVD在热稳
定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制半
导体器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低，还可以降低热应力失配。
可根据用户要求做不同规格配置，既可做小批量量产设备使用，又可用于教 学及科研。
1：设备型号：BC-PECVD-350
技术参数（以下参数可根据用户需求定制）
设备名称：等离子体增强型化学沉积（PECVD）设备
真空室结构：立式圆柱形上开门，后置真空抽气机组。
真空室尺寸：内部尺寸350㎜×300㎜。
真空室加热：室内温度≤500℃
旋转基片台：平板式直径220 ㎜
控制电源：射频电源
控制方式: PLC全自动和半自动控制模式
占地面积： 长1600㎜×宽1000㎜×高1600㎜
总功率KW： 380V 10KW
